氮化镓进入十四五规划！（节选）

  3月13日，新华网刊登了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，其中“集成电路”领域，特别提出碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体也就是行业人士关注的第三代半导体要取得发展。

官宣来了 

  十四五规划中提到的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）均为第三代宽禁带半导体材料，其中氮化镓用于半导体器件中时，具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性，不过受限于制造工艺、应用成本等因素的限制，多年以来氮化镓仅实现小范围应用。

  近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在打开应用市场。自从2018年开始，氮化镓在消费类快充电源领域的应用就已经进入了快车道。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于激光雷达、5G通信、新能源汽车、特高压、人工智能、数据中心等场景。

产业利好

  氮化镓写入十四五规划，意味着这一产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，加速以氮化镓为代表的第三代半导体产业大规模实现技术自主可控；并有望成为我国打破欧美发达国家在第二代半导体领域技术垄断的突破口，缓解以美国为首的发达国家对我国半导体产业发展形成的压力，最终完成弯道超车。 

  对于消费电源产业而言，随着氮化镓技术及市场化应用逐渐成熟，大规模量产将带来巨大的成本优势，未来的快充市场也将被氮化镓技术彻底激活，不断刺激传统快充配件市场全面开启产品迭代模式。这期间，经过工程师的不断探索，涌现出一大批创新型氮化镓快充，推动行业发展起到了深远影响。

  这也将为整个快充产业链带来极大的利好，在即将爆发的大规模产品迭代中，不仅是氮化镓功率器件，与之配套的控制芯片、变压器、电容、快充工厂都将迎来前所未有的市场机遇。

  去年9月，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也预示中国功率半导体步入一个崭新时代。

氮化镓芯片上游

  在氮化镓快充市场不断发展壮大的过程中，入局该领域的玩家也逐渐增多。在最受关注的氮化镓功率器件方面，虽然据充电头网拆解数据显示，目前仅有纳微、PI、英诺赛科、GaNsystems、Transphorm五家品牌的氮化镓功率器件正式量产出货并成功导入了终端产品；但在充电头网最新的整理的氮化镓芯片供应商中，已有十余家国内外氮化镓芯片原厂推出了多达数十款氮化镓芯片。

文章来源：充电头网